真我gt大师探索版闪存规格-闪存多少

真我gt大师探索版闪存规格-闪存多少

真我gt大师探索版这款手机为用户提供超高的手机颜值,不仅仅为用户提供很好的手机外形设计,同时为用户提供很好的手感体验,还为用户提供骁龙870的处理器性能,带来很好的手机5G性能,真我gt大师探索版闪存规格多少?

真我gt大师探索版闪存规格

为用户提供“ LPDDR4X+ufs3.1 ”的闪存规格。

LPDDR内存全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,中文意为低功耗双倍数据速率内存,主要应用在移动设备上。

LPDDR4X

总线时钟频率2133Mhz,架构64x与86x,电压为1.8/1.1/0.6V

LPDDR5

数据速率3200Mhz,架构64x,电压1.8/1.05/0.9/0.5V

就数据传输而言,新的LPDDR5大约比LPDDR4x快1.5倍 。LPDDR5的传输速度为51.2 Gbps,频率为6,400 Mbps。

LPDDR4和LPDDR4x通过使用32bit双通道架构(2 x 16bit)提高了。LPDDR5将移回单个16bit通道,但是,每个通道中的存储体数量已增加到2倍。LPDDR4X仅支持Single Bank Group,而LPDDR5支持多Bank Group模式,这里可以理解为数据传输从单车道变成了多车道,进一步提升了传输数据带宽。

UFS,全称是通用闪存存储“Universal Flash Storage”,而UFS3.0标准,该标准采用HS-G4规范,单通道带宽可达11.6Gbps,性能为UFS2.1的两倍。简单来说UFS3.0标准在传输速度上更快,功耗更低,软件响应更快,程序运行更流畅,而省电效果更佳,这对喜欢玩手游的用户来说会是一个福音。

UFS 3.1相较于UFS 3.0增加了三个功能

1、Write Turbo(写入加速器)

Write Turbo这个从字面意思就可以理解,就是提高设备的写入速度。

有了这个特性,会大幅增加闪存的写入速率。UFS3.1的写入速度提升至700MB/s,而UFS3.0的顺序写入最高为500MB/s。

Write Turbo原理接近TLC/QLC固态硬盘中动态压缩部分空间来模拟SLC高速缓存,数据先从读写性能更强的部分写入,以容量换取性能,然后在空闲时间自动整理文件以标准形式储存,从而将此前压缩占用的额外空间释放出来,

我个人的理解是先从闪存内部划分出了一个“高速缓存区”,然后让这个更快的缓存区先去接收文件,然后等手机空闲的时候,再默默地把存在它里面的东西存到普通闪存区。

2、DEEP Sleep(深度睡眠)

睡眠嘛,就跟我们睡眠过程中一样,降低消耗。DEEP Sleep可以让闪存在空闲时间段进入低功耗的睡眠状态,确保手机在闲置时更加省电降低设备功耗,这对手机闲置时间的功耗控制有所帮助,间接提升了手机续航。

3、Host Performance Booster(HPB、主机性能增强器)

HPB主要作用是提升手机的读取性能。realme副总裁王伟对HPB的解释,手机在使用过程中会越用越卡,其中原因之一是越读越慢,这是由文件系统碎片化和器件随机读性能下降导致的。器件的cache缓存能力有限,频繁重载L2P Map表造成性能开销过大。HPB利用手机的RAM来缓存L2P Map表,以提升读性能,尤其是长时间使用后的随机读取能力。一句话,即HPB意在解决手机越用越卡的"老毛病"。

这个功能我认为是非常重的,这个卡顿问题直接关系到收手机的使用寿命,之前有数据表明安卓手机的平均流畅使用时间是18个月,这里要注意是流畅使用,很多人更换手机的一个很重要原因是手机边变得越来越卡了,而HPB得出现,如果真的能够很好得解决手机卡顿问题,那么相信在一定程度上会延长手机的使用寿命。

在实际测试中UFS 3.1的性能想较UFS 3.0具有很大的提升,这次测试分别从顺序读取、顺序写入、随机读取、随机写入这四方面来比较,其结果分别是

1、顺序读取:实测为1772.65MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高19.4%

2、顺序写入:实测为728.67MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高37.5%

3、随机读取:实测为286.03MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高14.5%

4、随机写入:实测为239.15MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高10.5%

总的来说UFS 3.1的综合性能想较UFS 3.0提升了大约百分之15左右

ps:这款手机还为用户提供很好的手机骁龙870的处理器,带来很好的手机旗舰5G性能,还为用户提供很好的手机120Hz的是三星柔性屏幕显示,很是值得入手

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