电脑cpu封装工艺|CPU封装工艺

CPU封装工艺

CPU封装是采用特定的材料将CPU芯片或CPU模块固化在其中以防损坏的保护措施，一般必须在封装后CPU才能交付用户使用。頭條萊垍

CPU的封装方式取决于CPU安装形式和器件集成设计，从大的分类来看通常采用Socket插座进行安装的CPU使用PGA（栅格阵列）方式封装，而采用Slot x槽安装的CPU则全部采用SEC（单边接插盒）的形式封装。垍頭條萊

现在还有PLGA(Plastic Land Grid Array)、OLGA(Organic Land Grid Array)等封装技术。由于市场竞争日益激烈，目前CPU封装技术的发展方向以节约成本为主萊垍頭條

cpu cpu核心 cpu封装

正如你的怀疑，这个是没有可能发生的；热源头（CPU核心）的温度低于散热部件的温度。有两个可能做成此现象，首先是检测用的检测头或后处理的软、硬件出错。頭條萊垍

另一个可能就是散热风扇不知为何产生大量热能，并传至散热器，令它的温度高于原来的热源头 - CPU核心頭條萊垍

主板封装工艺

在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。一般来说，DDR内存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装技术，又长又大。而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。萊垍頭條

TSOP是内存颗粒通过引脚焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形，而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。其优点是有效地缩短了信号的传导距离。萊垍頭條

速度与容量：成倍提升萊垍頭條

选择内存和CPU搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于CPU的带宽，这样才可以满足CPU的数据传输要求。从带宽公式（带宽=位宽×频率÷8）可以得知，和带宽关系最紧密的就是频率。这也是为什么三代内存等效频率一升再升的原因之一，其目的就是为了满足CPU的带宽。萊垍頭條

不仅速度上有所提升，而且随着我们应用的提高，我们也需要更大容量的单根内存，DDR时代卖得最火的是512MB和1GB的内存，而到了DDR2时代，两根1GB内存就只是标准配置了，内存容量为4GB的电脑也逐渐多了起来。甚至在今后还会有单根8GB的内存出现。这说明了人们的对内存容量的要求在不断提高。萊垍頭條

延迟值：一代比一代高萊垍頭條

任何内存都有一个CAS延迟值，这就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的时间一样。一般而言，内存的延迟值越小，传输速度越快。从DDR、DDR2、DDR3内存身上看到，虽然它们的传输速度越来越快，频率越来越高，容量也越来越大，但延迟值却提高了，譬如DDR内存的延迟值（第一位数值大小最重要，普通用户关注第一位延迟值就可以了）为1.5、2、2.5、3；而到了DDR2时代，延迟值提升到了3、4、5、6；到了DDR3时代，延迟值也继续提升到了5、6、7、8或更高。萊垍頭條

功耗：一次又一次降低萊垍頭條

电子产品要正常工作，肯定要有电。有电，就需要工作电压，该电压是通过金手指从主板上的内存插槽获取的，内存电压的高低，也反映了内存工作的实际功耗。一般而言，内存功耗越低，发热量也越低，工作也更稳定。DDR内存的工作电压为2.5V，其工作功耗在10W左右；而到了DDR2时代，工作电压从2.5V降至1.8V；到了DDR3内存时代，工作电压从1.8V降至1.5V，相比DDR2可以节省30%～40%的功耗。为此我们也看到，从DDR内存发展到DDR3内存，尽管内存带宽大幅提升，但功耗反而降低，此时内存的超频性、稳定性等都得到进一步提高。萊垍頭條

制造工艺：不断提高萊垍頭條

从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高的工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低。譬如DDR内存颗粒广泛采用0.13微米制造工艺，而DDR2颗粒采用了0.09微米制造工艺，DDR3颗粒则采用了全新65nm制造工艺（1微米=1000纳米）。頭條萊垍

芯片的封装工艺

MEMS具有复杂的3D结构，且在现今高密度组装、小型化、轻型化和薄型化的趋势下，对于有限的面积，封装工艺必然在2D基础上向Z方向发展，这就是3D封装。3D封装形式主要有三个：萊垍頭條

·埋置型。将MEMS元器件埋置在基板多层布线内或埋置、制作在基板内部。萊垍頭條

·有源基板型。指用硅圆片IC做基板，先将圆片用一般半导体IC制作方法作一次元器件集成，做成有源基板，然后再实施多层布线，顶层仍安装各种其他芯片和元器件，从而实现3D封装。这种封装方式用于较复杂及附加电路较多的MEMS传感器的3D封装中。垍頭條萊

cpu核心cpu封装

CPU的封装就相当于给CPU内核穿上一层保护外衣，让它与空气隔绝，防止氧化以及灰尘的侵蚀。垍頭條萊

采用90nm制造工艺的Prescott处理器和即将面世的采用65nm制造工艺的处理器，都得益于制造工艺，而形形色色的封装外形，也见证了封装方式的发展历程。萊垍頭條

1:DIP（Dual In-line Package，双列直插封装）是一种最简单的封装方式，主要用在4004、8008、8086、8088这些最初的处理器上。采用这种封装方式的芯片有两排引脚，可以直接焊在有DIP结构的芯片插座上或焊在有相同焊孔数的焊位中。其特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。但是由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差。同时这种封装方式由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个。随着CPU内部的高度集成化，DIP封装很快退出了历史舞台。只有在老的VGA/SVGA显卡或BIOS芯片上可以看到它们的“足迹”。萊垍頭條

2:QFP/PFP（Quad Flat Package/Plastic Flat Package，扁平小块式封装/塑料扁平组件式封装）和DIP唯一相似之处在于它也是采用引脚的方式，但是不同的是QFP/PFP的引脚是从芯片的外部引出，然后再与主板连接。由于引脚更细更小，就保证了在芯片面积不变的情况下可以容纳更多的引脚（一般数量在100个以上）。由于QFP/PFP的面积很小，这就控制了成本，加上采用了SMT（表面安装设备）技术，使它的信号稳定性好，而且安装好后不会与主板出现接触不良的问题。所以在286时期，QFP/PFP较为流行，现在某些BIOS和视频处理芯片仍然采用这种方式。QFP和PFP的区别在于形状方面：前者一般为正方形，而后者可以是正方形也可以是长方形。采用LCCP（Leadless Chip Carrier Package，嵌入式集成芯片封装）的CPU核心四周排列着像被锡箔包裹着的针脚，通过专门的插座与之配合。这种封装方式很方便插入，但是拔出比较困难，所以只是被短时间地用在80286和早期的协处理器上。萊垍頭條

笔记本CPU封装

1、CPU封装温度，指的是表面CPU温度，就是说从表面CPU层的温度，一般还有内核温度，相差的度数不大，所以鲁大师看CPU温度还可以。萊垍頭條

2、中央处理器温度指CPU外壳温度，核心温度就是你CPU内核的温度，你是四核CPU，每一部分温度就是核心温度。垍頭條萊

3、一般核心温度和封装温度是接近的，cpu表面温度比后面者低不少條萊垍頭

CPU芯片封装

　　因为CPU温度指表面温度CPU核心温度当然是指核心温度，所以没有直接关系，温度不一样很正常。　　如果有CPU核心温度比CPU温度高出很多的现象。这是由于芯片的传导决定的。只要没有导致死机就是正常的。如果出现死机的状况，那就是机子的通风问题。建议加装机箱风扇、加强通风效果。可以在侧面板（已经开有正对CPU的风道）和前面板（下部预留有安装位置）安装向内吹的风扇，在后面板上安装向外吹的风扇，效果不错。萊垍頭條

cpu封装技术

所谓“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。

以CPU为例，我们实际看到的体积和外观并不是真正的CPU内核的大小和面貌，而是CPU内核等元件经过封装后的产品。

封装对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB（印制电路板）的设计和制造，因此它是至关重要的。封装也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。因此，对于很多集成电路产品而言，封装技术都是非常关键的一环。

目前采用的CPU封装多是用绝缘的塑料或陶瓷材料包装起来，能起着密封和提高芯片电热性能的作用。