realme 真我 GT Neo3 正面照公布:居中打孔屏

  ITBEAR科技资讯3月18日消息,新机将在3月22日正式发布,今天官方公布了正面照。该机将配备天玑8100+独显芯片,全球首发150W快充。

  realme中国区总裁徐起公布的实拍图显示,realmeGTNeo3将采用居中打孔屏幕方案,四面边框极窄,整体属于主流旗舰机水平。

  据徐起早些时候透露,realme真我GTNeo3配备了天玑8100+独立显示芯片,性能更强,功耗更低。除天玑8100外,新机还配备了满血版LPDDR5+UFS3.1。

  据了解,GTNeo3的另一个亮点是全球首发150W光速秒充,官方称5分钟充电50%,支持1600次循环充放电。

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