电脑主板mos管的测量方法|如何测量mos管

电脑主板mos管的测量方法|如何测量mos管

如何测量mos管

1把万用表换到测量二极管的挡位! 2找出MOS管内的体二极管,D/S极找到,G极确定,左到右依次是GBS。3判断是N沟道还是P沟道。 4依照MOS的触发条件用万用表触发MOS管后, DS之间是否导通? 可以用数字万用表测量二极管正向压降那一档将mos管离线进行测量,好的mos管应在这一档测不出数字的。

怎么测量mos管

用万用表电压档测量,以电源负极为参考点

如何测量mos管的输出特性曲线

导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。

这个方法是曾经做电机驱动时候的计算方式,但是,导通内阻跟Vgs有一定关系,也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大,毕竟MOS是电压驱动型器件。

另外手册上的Rds(on)基本上就是该元件典型的内阻,只要完全导通,误差不很大。

mos管

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

如何测量mos管转移曲线

MOS管替换蛮麻烦的,表面上看,至少需要关注:

1、种类;

2、ID(持续和峰值);

3、PDM(最大耗散);

4、Rd(有时候要考虑)。特别是前三个。实际替换时,MOSFET的特性曲线往往有所不同,还要进行上电实测,光看指标不行。

如何测量mos管寄生电容

栅极有个寄生电容,驱动的时候电流主要是给这个寄生电容充电,关断的时候电容就给地放电,假如你驱动电流频率是10K,那就是说每秒要给这个电容充电1万次,电容能量E=1/2CV平方,那么驱动功率W=E*K,电流在电阻上的回路几乎可以忽略,这就为什么说MOS管静态损耗小的原因,可是作为开关管的话,电流大小就跟频率成正比,栅极的寄生电容是并联在G S极的,这个就是回路。回答完毕

如何测量mos管开启电压

一、用测电阻法判别MOS管的电极



根据MOS管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出MOS管的三个电极。



具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对MOS管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。



二、用测电阻法判别MOS管的好坏



测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。



具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。



三、用感应信号输人法估测MOS管的放大能力



具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住MOS管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。



根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。







四、用测电阻法判别无标志的MOS管



首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。



五、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小



对MOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。

如何测量mos管好坏

万用表测量阻值,看看是否对地为零

怎么测量mos管管脚

让场效应管面对你 当场管带点的部位在你左下角时 左下从左向右第1脚一定是s级 然后用数字万用表的二极 管档测量 1脚和2脚如果通(阻值为零) ,再测量8脚和5脚 如果也通就证明5。

6。

7。

8脚是d级 ,1。

2 。

3角是s级 4脚是控制级g级 如果1 。

2脚不通再测量3 。

4脚 如果也不通 ,而7。

8脚相通 5。

6脚相通 1 。

3脚不通则证明这是2个独立厂管集成再一起的8脚场管 那么的1。

3脚是s级 2 。

4角是G级 5。

6 和7。

8 都是D级 再用万用表的两个表笔分别接在d级和s级上测量一次阻值 再把表笔换过来侧一次阻值 然后比较辆次测量 的结果阻值小的那一次 如果红表笔接在S级上(数字表 指针表相反)那么这个厂管是N沟道的" 如果红表笔接在D级上(数字表 指针表相反)那么这个厂管是P沟道的

如何测量mos管ds电流

锂电池保护板电流是由保护IC检测电压和MOS管内阻决定的,如果保护IC无法更改,可以改MOS管,比如DW01与8205MOS,用一颗MOS管是2~5A,用两颗MOS管并联电流就会增加一倍。现在的大容量移动电源有的用3~4颗MOS管并联。

保护板保护电流=过流检测电压/MOS管内阻(由于是两颗MOS管串联,计算时MOS管内阻要乘2)

锂电池选保护板要根据电池的容量来定,一般2000mAh以下的电池没有特殊要求的,选一般的保护板就可以了,保护电流2~5A,一般电池的放电电流是1C,2000mAh以上的电池保护电流最好在3A以上。对于动力电池,很多都没有加保护板,但是串接有PTC,温度过高时,自动切断电源。

如何测量mos管Vds的耐压

不可以哦,4N65是一款电压650V,电流4A的高压MOS管

IRF740.是一款电压为“400V,电流10A,的中压MOS管

即使是在相同电流的基础上低电压是不能代替高压型号,否则会出现炸机,反之电流相同高电压能代替低电压产品,但是成本不划算,


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