电脑运行怎么知道是内存不足还是什么
电脑卡、运行慢,很可能是电脑垃圾过多,运行内存不足,还可能是电脑硬件温度过高,或者硬件配置过低,甚至是中毒了的情况，解决办法：
一.开启的程序过多，占用大量资源：
1.点击360加速球加速，关闭占资源过多的程序2.使用360安全卫士优化系统、清理垃圾 二.运行内存不足1.如果是运行内存不足的话，虚拟内存设置大一些2.如果是内存不足，可以加装内存条 三、温度过高引起的电脑硬件温度过高也会引起电脑卡，延迟，死机，蓝屏，自动关机，或者自动重启的情况。
你可以下载个测温工具对电脑硬件进行检测：比较常用的工具是：鲁大师，如果发现某硬件温度过高，请先清理灰尘，或者按实际情况处理，如果不会处理可以拿到电脑城处理 四、电脑中毒电脑中毒，系统文件遭到破坏也会导致运行缓慢，甚至死机等问题。1.用360安全卫士查杀木马2.用360安全卫士修复3.用360杀毒4.用360系统急救箱系统急救五、重新安装或者还原系统六、如果你的电脑配置过低，请升级你电脑的硬件
电脑内存不足是怎么回事
原因是因为电脑的虚拟内存不够了，只需将其设置一下即可。具体解救方法如下：
1，打开电脑桌面，在菜单中选择并鼠标右键点击我的电脑，再在打开的右键菜单栏中选择属性选项，并打开。
2，在打开的系统属性选项中点击高级系统设置，再鼠标右键点击性能下的设置。
3，再在点击后所弹出的性能选项里点击高级选项，并打开。
4，在打开的性能选项界面后，点击下面的虚拟内存的更改按钮，打开新界面。
5，在弹出对话框中设置虚拟内存，选择自定义大小，并输入设置的虚拟内存大小。
6，设置虚拟内存一般是真实内存的1.5倍左右，比如是 1G内存，可以设置在1.5G左右，点击确定，即可。
如何看电脑是不是内存不足
如果内存条在电脑中可以用鲁大师、CPU-Z等软件查看内存情况，如“DDR3L”，带L标示的为低电压版内存条，可以通过购买电脑时的配置说明书，查看该款笔记本电脑的内存条具体品牌与型号，然后再上网对照查询，可以知道它是低压还是标压如果内存条是拆下来，然后观察内存条的内存颗粒（集成电路芯片，很小的）上的型号标识（如PC3L，带L标示的是低电压版），或者再根据标识到网上查询，也可以知道它是低压还是标压的
什么叫做运行内存不足
你好，你的手机是因为运行内存不足而产生的卡机，玩
游戏要有足够的运行内存空间来支撑，你可以去应用宝
里下载个内存清理工具，清理下手机不用软件和手机残
留文件，再关闭后台多余的自启项，应该就可以解决你
手机卡机的问题了，那里下载安全，无病毒，无广告，
无插件，安卓手机可以放心使用里面的软件，还支持手
机一键root功能。
希望我的回答可以帮助到你
电脑内存不足什么表现
会出现程序无法正常运行，同时会提示内存不足，需要及时的清理内存。
当笔记本电脑内存不足的时候，所需要的程序无法运行非常的卡同时，还会出现提示提醒你，需要及时的清除电脑的内存，同时需要卸载一些文件，这样重新启动电脑才能够恢复正常。
电脑运行内存够不够如何判断
1、首先把鼠标移到电脑下方任务栏，右键点击任务管理器
2、打开任务管理器后，点击“性能”。
3、再点击“内存”，即可看到电脑的物理内存有多少了。
内存是计算机中重要的部件之一，它是外存与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内存储器和主存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存条是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。
怎么看电脑内存不足
打开的程序太多 如果同时打开的文档过多或者运行的程序过多，就没有足够的内存运行其他程序。这时，对于多文档界面(MDl)程序，如Word、Excel等，请关闭当前文档外的所有文档，并退出当前未使用的程序，然后或许你就能够继续执行因“内存不足”而被中断的任务。重新启动计算机 如果只退出程序，并不重新启动计算机，程序可能无法将内存资源归还给系统。请重新启动计算机以释放系统资源，然后再次运行程序或执行被中断的任务。程序文件被毁坏 如果仅仅是使用某个程序时，系统提示内存不足，而其他程序可以正常运行，那么可能的原因是该程序文件被毁坏，从而导致内存问题。然而Windows并没有确切地提示表明该程序已损坏，所以请尝试删除并重新安装该程序，然后重新运行该程序。如果系统不再提示内存不足，那么说明原程序文件确实被损坏。使用内存优化软件 内存优化软件有很多，比如RAM Idle和Memo Kit就是比较出色的两个。这些软件都可以设置自动清空剪贴板、释放被关闭程序未释放的内存、对Win386.swp文件进行重新组织等，从而免除你手工操作的麻烦，达到自动释放内存的目的，不妨一试!查杀病毒 系统感染电脑病毒也是导致内存不足的罪魁祸首，当系统出现“内存不足”的错误时，请使用最新的防毒软件查杀病毒，或者在清除电脑病毒之后，就解决了“内存不足”的问题。
电脑运行内存不足会出现什么情况
如果你在下载软件后，显示电脑配置太低，无法运行该软件，你遇到这种情况，就说明你电脑的系统出现了问题。或者是你电脑的内存出现了不足的情况，你可以去升级一下你的电脑配置，也可以清理一下你电脑的内存或者是重新做一下电脑系统，这样你提高了电脑的配置，内存升级了，系统也升级了。就不会遇到无法运行软件的这种情况了！
电脑内存不足指的是什么内存
手机提示内存已满/内存不足或需要优化内存，建议您：
1.删除不必要的数据及应用程序：智能管理器（内存管理器）-储存空间/内存。
2.关闭不需要的应用程序：点击屏幕左下角近期任务键-点击要关闭的应用程序右上角的“X”/下方的关闭全部。
3.若手机支持存储卡，将多媒体文件移动到扩展卡或将拍摄存储路径设置为扩展卡。若未有存储卡，建议定期将多媒体文件移动到电脑中。
4.卸载不经常使用的软件或文件。 若上述方式操作后，手机内存依然不足，建议备份手机中的数据（联系人、信息、照片等），恢复出厂设置尝试。
电脑运行怎么知道是内存不足还是什么问题
一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：
一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
Command Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。
Row Precharge Timing(tRP)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
Row Cycle Time(tRC)
可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。
其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。
在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)
可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。
Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。
延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。
Write Recovery Time(tWR)
可选的设置：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。
如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。
Write to Read Delay(tWTR)
可选的设置：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。
tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。
Refresh Period(tREF)
可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。
先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。
1552= 100mhz 2064= 133mhz 2592= 166mhz 3120= 200mhz ---------------------
3632= 100mhz 4128= 133mhz
4672= 166mhz
0064= 200mhz
---------------------
0776= 100mhz 1032= 133mhz 1296= 166mhz 1560= 200mhz
---------------------
1816= 100mhz 2064= 133mhz 2336= 166mhz 0032= 200mhz ---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。
另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。
