电脑主板ddr3原理图|DDR3原理

1. DDR3原理

应该是总线供电，有些主板内存的总线供电在CPURST之后产生所以不上CPU就不出VTT，有的主板总线供电由主供电给但是，中间会接一个阻值较大的上拉电阻起到，虽然电压不变但电流会很小。做为芯片内部开漏产生0--1信号之用

2. ddr3原理图设计

DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2之后的下一代产品，也是现时流行的内存产品规格。　　

常见的DDR3的频率有：DDR3-2400, DDR3-2133, DDR3-1866, DDR3-1600, DDR3-1333　　

由于频率不是固定的，其相对于DDR2的速度，应该可以按其主频相除得到，即DDR3-1600相对于DDR2-800的话，其速度大约是后者的两倍。

3. ddr3原理图 pcb

完全不一样。

ddr4的外观有了很大的变化。ddr4内存条的高度增加，并且厚度增加到1.2毫米，pcb层数增多，针脚数量也不同。

内存条的金手指底部一直都是平直的，但是ddr4是弯曲的，其中两头胶短，中间较长，金手指的缺口位置也和ddr3的不一样，就是防止插错。

4. ddr3原理图设计驱动

常规我们DDR3的布局满足以下基本设计要求即可：

1.考虑BGA可维修性：BGA周边器件5MM禁布，最小3MM。

2.DFM 可靠性：按照相关的工艺要求，布局时器件与器件间满足DFM的间距要求；且考虑元件摆放的美观性。

3.绝对等长是否满足要求，相对长度是否容易实现：布局时需要确认长度限制，及时序要求，留有足够的绕等长空间。

4.滤波电容、上拉电阻的位置等：滤波电容靠近各个PIN放置，储能电容均匀放置在芯片周边（在电源平面路径上）；上拉电阻按要求放置(布线长度小于500mil）。

注意：如有提供DEMO板或是芯片手册，请按照DEMO板或是芯片手册的要求来做。

1.滤波电容的布局要求

电源设计是PCB设计的核心部分，电源是否稳定，纹波是否达到要求，都关系到CPU系统是否能正常工作。滤波电容的布局是电源的重要部分，遵循以下原则：

CPU端和DDR3颗粒端，每个引脚对应一个滤波电容，滤波电容尽可能靠近引脚放置。

线短而粗，回路尽量短；CPU和颗粒周边均匀摆放一些储能电容，DDR3颗粒每片至少有一个储能电容。

DDR 正反贴的情况，电容离BGA 1MM，就近打孔；如可以跟PIN就近连接就连接在一起。

2.VREF电路布局

在DDR3中，VREF分成两部分：

一个是为命令与地址信号服务的VREFCA；另一个是为数据总线服务的VREFDQ。

在布局时，VREFCA、VREFDQ的滤波电容及分压电阻要分别靠近芯片的电源引脚。

3.匹配电阻的布局

为了提高信号质量，地址、控制信号一般要求在源端或终端增加匹配电阻；数据可以通过调节ODT 来实现，所以一般建议不用加电阻。

布局时要注意电阻的摆放，到电阻端的走线长度对信号质量有影响。

对于源端匹配电阻靠近CPU（驱动）放，而对于并联端接则靠近负载端（FLy-BY靠近最后一个DDR3颗粒的位置放置而T拓扑结构是靠近最大T点放置）

源端匹而对于终端VTT上拉电阻要放置在相应网络的末端，即靠近最后一个DDR3颗粒的位置放置（T拓扑结构是靠近最大T点放置）；注意VTT上拉电阻到DDR3颗粒的走线越短越好；走线长度小于500mil；每个VTT上拉电阻对应放置一个VTT的滤波电容（最多两个电阻共用一个电容）；VTT电源一般直接在元件面同层铺铜来完成连接，所以放置滤波电容时需要兼顾两方面，一方面要保证有一定的电源通道，另一方面滤波电容不能离上拉电阻太远，以免影响滤波效果。

DDR3的布局基本没有什么难点，只是要注意诸多细节之处，相信大家都已经学会。

5. ddr3原理和时序

　　首先从频率上就可以看出，举个例子DDR3 1333比DDR2 800频率要高很多，传输　　速率加快这就是最大的区别，DDR3 1333的频率是1333MHZ，而DDR2 800才800MHZ　　个人PC机支持的最大内存不是4G吗，怎么现在我看到的电脑有6G内存呢，是不是　　因为是DDR3内存的关系？　　32位的操作系统是不支持4G的，不是个人的PC机支持最大内存是4G，你换成64位　　的操作系统，如64位的XP或VISTA，照样可以上6G或更大的内存　　DDR3 内存，有太多太多值得我们探讨的东西，首先，它给我们带来了频率和带宽的大幅度提升。目前DDR3内存规格最高为DDR3-1600，运行频率达到了 1600MHz，已经是DDR2内存最高频率的两倍了，它可以提供高达12.8GB/S的带宽，如果组成双通道，则可以提供25.6GB/S的带宽！这里说的带宽，是指内存带宽。我们可以把CPU和北桥看作是两个具有密切交易关系的城市，把内存看作是连接它们之间交易货物的仓库和公路。内存容量好比仓库，当然是越大，存放的货物就越多，带宽则可以看作是这两座城市之间的公路，公路越宽，交易的时候往来的车辆就可以更多，如果说DDR内存所提供的带宽是普通的公路，那么DDR2内存的带宽是高速公路的话，DDR3内存可以看作是高速公路里的快车道。　　DDR3 1G的内存现在大概270　　DDR3与DDR2几个主要的不同之处：　　突发长度（Burst Length，BL）　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。　　寻址时序（Timing）　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。　　DDR3新增的重置（Reset）功能　　重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

6. ddr3原理图

做等长，数据线要与对应的参考时钟线等长，地址线要与对应参考时钟线等长。

7. DDR3工作原理

DDR3是2007年推出的，距今已经有14年，但这种内存至今仍发挥着十分重要的作用，不仅仅是老机器升级维修的备件，其他方面，如在SSD领域DDR3内存是十分常见的，成本低是它的一大优势。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（同步动态动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品规格。